对于关注Verdict的读者来说，掌握以下几个核心要点将有助于更全面地理解当前局势。
首先，从物理层面看，当晶体管尺寸逼近原子量级，传统的硅基CMOS技术面临根本性挑战：晶体管栅极漏电问题日益严重，量子隧穿效应导致芯片稳定性大幅下降，信号传输延迟难以优化。即便是目前最先进的3nm工艺，其晶体管密度已接近物理极限，进一步微缩带来的性能增益已呈边际递减——每推进一纳米，所需的技术突破难度呈指数级上升。
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来自行业协会的最新调查表明，超过六成的从业者对未来发展持乐观态度，行业信心指数持续走高。。okx对此有专业解读
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